现有的金属氧化物薄膜的制备工艺的成膜效率较高，但是也存在设备及靶材昂贵、能耗较高、溅射离子对界面轰击产生缺陷(如靶材表面电荷堆积)等问题。
为了解决上述问题，本揭示提供一种金属氧化物薄膜的制备方法，所述方法包括：提供一金属氧化物的一前驱盐类；将所述前驱盐类与一促进剂、一溶剂混合均匀得到一前驱盐类溶液；将所述前驱盐类溶液涂布于一基板；去除所述基板上多余的所述前驱盐类溶液形成一前驱物膜层；以及以一烘烤温度对所述基板上的所述前驱物膜层进行一烘烤程序，所述烘烤温度为不超过200℃，以形成所述前驱盐类对应的所述金属氧化物薄膜。
氩气离子在高温环境及电场作用下加速去撞击靶材2，以高能量轰击靶材表面，将靶材上的金属撞击下来，使靶材发生溅射。溅射出的中性靶材原子或分子沉积在一基板3上成为薄膜。
当靶材不断受到高能量(高温加上高速)的氩气离子的轰击，会使得靶材的温度持续升高，温度过高将破坏靶材与周边冶具的结合。并且产生的高热会造成靶材与周边冶具的损坏。再者，虽然上述工艺的成膜效率较高，但是也存在设备及靶材昂贵、能耗较高、溅射离子对界面轰击产生缺陷(如靶材表面电荷堆积)等问题。
现有的溶胶凝胶法(sol-gelmethod)制备薄膜需要的温度往往在400℃以上才能发生结晶，得到对应的薄膜，同样存在着能耗较高的缺陷。
